在CES 2020大展上，韩DRAM和NAND闪存大佬SK海力士（SK Hynix）展现了最新储存技术创新。在他的展台上，最吸引人的莫过“4D NAND”技术性，及其第一批根据该方法的消费级商品。
4D NAND做为一个概念最开始于2018年8月发布，当然本身没有牵涉到第四维度。传统3D NAND处理芯片关键应用正电荷捕捉型闪存堆栈，该堆栈在空间上坐落于外场控制模块边上，该外场控制模块承担把所有这种CTF堆栈走线。在4D NAND中，外场块与CTF堆栈自身层叠在一起，进而在2-D平面内节省了室内空间，便于用以提升相对密度。
在CES 2020展台上，外国媒体TechPowerUp看到了2款应用128层4D NAND的手机客户端细分化电脑硬盘–Platinum P31 M.2 NVMe和Gold P31 M.2 NVMe。从技术角度来而言，Platinum P31和Gold P31是一样的，仅仅容积（也包含耐用度）上有所差异。
三者都选用PCI-Express 3.0 x4和NVMe 1.3推动，彻底应用自己家硬件配置结构，自然主控芯片、DRAM缓存文件和128层4D NAND闪存等均是由SK Hynix自身生产制造。
Platinum P31仅具备2 TB的容积和1,500 TBW的耐用度； Gold P31的容积为500 GB和1 TB，分别是375 TBW和750 TBW。2个控制器均给予达到3500 MB / s的次序载入和达到3200 MB / s的次序载入。
除此之外SK海力士还展现了最新一代的DDR5 RDIMM。 RDIMM致力于下一代企业服务平台（比如intel“ Sapphire Rapids”）而设置的，工作频率为DDR5-4800 MHz，最大能够提供64 GB的相对密度。
Sk海力士还提供最新LPDDR4X和原形LPDDR5存储解决方案，致力于为下一代5G智能机及超便携式计算机给予超强性能。展台还现场演示了应用LPDDR4X解决方法和UFS 3.0储存触屏手机，运用笔记本的前摄像头并及时形成4个高质量滤镜效果（这就需要非常大的处理量和储存网络带宽）。
LPDDR4X已将数据速率推上了4,667 MT / s DDR，而LPDDR5可能从5,500 MT/s发展，并且还会比LPDDR4X给予较低的功能损耗。
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