9大原厂发力高密度快充市场，推出16款合封氮化镓芯片

伴随着氮化镓技术性在消费性开关电源行业的迅速商业，电源开关頻率提高，直流变压器容积减少，快充开关电源的容积获得了大大提高。在充电头网拆卸的100几款氮化镓快充开关电源中，精巧便携式、作用全方位早已成为了当今快充电源产品的必需特性。

但是相比于早已批量生产的氮化镓快充开关电源来讲，芯片原装的市场营销策略则更为长久，为了更好地完成更多的功率并减少外场元器件总数，现阶段已经有很多开关电源芯片生产商在下手合理布局处理速度更高一些的合封氮化镓芯片产品线，用一颗芯片进行氮化镓电力电子器件、PWM操纵、推动、维护等作用，既能提高总体计划方案的特性，与此同时也可以降低PCB板的占有，变小规格并降低原材料成本费。

依据充电头网不彻底统计分析，现阶段市面上除开知名开关电源芯片生产商PI以外，中国的当地开关电源芯片生产商在合封氮化镓芯片层面的体现也十分优异，现阶段已经有东科、茂睿芯、南芯、杰华特、必易微、亚成微、钰泰、华源等7家原装推出了十余款合封氮化镓芯片，运用输出功率从30W-120W不一。值得一提的是，在其中已经有一部分合封氮化镓芯片逐渐批量生产交货。

在11月26日（周五）举行的2021（秋天）USB PD＆Type-C亚洲地区展上，这9家主要的合封氮化镓芯片原装将初次齐聚一堂，为我们展现根据合封技术性的下一代密度高的氮化镓快充新产品计划方案。

此外，此次展览会还聚集了上千家USB PD＆Type-C全产业链公司，包含了AC-DC芯片、DC-DC芯片、协议书芯片、氮化镓芯片、电力电子器件、电容器、射频连接器及其别的快充全产业链组员，一同展览的新产品计划方案高达上折间。

排名不分先后，按展台次序排列。

A03展台：东科半导体材料

1、东科DK025G

东科氮化镓12V2A参照设计方案样本选用反激计划方案，初中级应用东科性能卓越DK025G氮化镓合封芯片，次级线圈应用零外场的DK5V100R25S同步整流芯片，輸出12V2A。兼容大部分无线路由器，移动硬盘盒，电视机顶盒开关电源及其显示屏应用。达到长期插电针对开关电源的效率高，可靠性高，低休眠功能损耗规定。

2、东科DK036G

东科推出的DK036G是一款相对高度集成化的QR反激合封氮化镓芯片，芯片内部结构集成化650V 400mΩ氮化镓开关管、控制板、控制器、髙压运行线路和维护模块。选用130KHz电源开关頻率，可以有效的变小充电头的变电器容积，获得特性和费用的均衡。

根据东科DK036G极低休眠功能损耗的优势，除开USB PD快充运用外，还能够运用在无线路由器或是视频监控系统，显示屏内嵌/大功率插座等固定不动工作电压输入输出的场所。根据将氮化镓与高频开关优点融合，可给予小容积低发烫的外置电源解决方法。

2、东科DK065G

东科根据合封氮化镓芯片DK065G开发设计的65W快充计划方案，选用二块主板和平面图变电器竖直电焊焊接的叠板加工工艺，灵活运用室内空间。该合封氮化镓芯片可以大幅度减少氮化镓充电头的元器件总数，根据相对高度集成化的解决方法，将控制板，控制器和氮化镓开关管集成化融合到一个封装形式内部结构，将传统式的外界布线，融合成封装形式内部结构布线，减少环城路总面积，降低干扰辐射源，而且减少寄生参数对元器件工作中特性的危害，提高工作效率，完成可靠性高的氮化镓电源电路。

A05展台：茂睿芯

1、茂睿芯MK2787/MK2788

专注于为客人给予最优解，进一步提高PD快充的功率，提升GaN可靠性指标，茂睿芯重磅消息推出33W集成化氮化镓PD计划方案MK2787/MK2788，集成化GaN HEMT的ACDC输出功率电源开关，MK2787选用ESOP-8封装形式设计方案，MK2788选用DFN5x6封装形式设计方案，便捷顾客采用。

除此之外MK2787/MK2788选用茂睿芯特有的处在领域领跑部位的髙压技术性，Vcc抗压达到110V，PPS运用不用稳压电源电路；选用了专利权软盘驱动器技术性，合理减少同步整流管工作电压内应力；选用高频率QR控制系统，合理减少变电器规格。

A06展台：南芯半导体材料

1、南芯SC3057

南芯根据SC3057合封氮化镓芯片推出的一款高集成度小容积的65W氮化镓快充参照设计方案，选用二块PCB电焊焊接组成，在增强空间利用率的与此同时，将氮化镓合封芯片与整流管分离排热，防止部分积热。二块主板的设计方案，减少了生产制造难度系数，也有利于控制成本，加速交货。

归功于南芯SC3057提升了布线设计方案，参照设计方案的输出功率线路和操纵布线分离，简单化PCB布线设计方案。根据照片能够看见输出功率环城路十分小，减少了EMI辐射源，并提升电气设备特性，提升氮化镓快充电路原理。

2、南芯SC3056

根据南芯SC3050/SC3056氮化镓反激芯片开发设计的33W充电头，次级线圈选用南芯SC3503同步整流，南芯SC2151A协议书芯片，所有独立。设计方案规格为：29.0mm x 23.5mm x 22.6mm (没有折叠式接线端子），其PCBA功率达到 2.14W/cm3，90Vac/60Hz 载满下輸出端口号高效率超过92.2%，可大幅度减少热设计难度系数，多种性能指标业界领跑。

在其中南芯SC3050与SC30562款芯片封装形式与作用同样，仅内嵌GaN开关管导阻不一样，SC3050内嵌450mΩ氮化镓开关管，SC3056内置360mΩ氮化镓开关管。该系列产品芯片为USB PD快充与开关电源电路运用给予高能耗等级小容积的解决方法。

A19展台：PI

1、PI InnoSwitch4系列产品

PI新一代选用了PowiGaN技术性的InnoSwitch4系列产品芯片，运用于数字功放钳位反激构架，可完成电源总开关管的零电流电源开关，减少元器件升温。与此同时提升EMI特性，特别适合小容积，高输出功率的开关电源设计。

InnoSwitch4-CZ是零电流电源开关的集成化反激芯片，内部结构集成化750V髙压PowiGaN电源开关、数字功放钳位推动、同步整流和FluxLink意见反馈，与ClampZero数字功放钳位芯片配搭应用，将漏感动能回收利用，可完成达到95%的转化高效率。

2、PI InnoSwitch3-PD系列产品

PI推出的InnoSwitch3-PD是一颗专用型于USB PD快充的单芯片开关电源解决方法，将常用的USB PD协议书芯片集成化到开关电源芯片内部结构，简单化了USB PD快充设计方案。其内部结构集成化650V抗压的MOSFET或是750V抗压的PowiGaN高压断路器，给予达到100W的功率。

InnoSwitch3-PD开关电源芯片根据内部结构集成化USB-C和PD控制板，合理减少了开关电源的休眠功能损耗，满载功能损耗低至14mW。而且内部结构集成化的控制板，根据精妙的电路原理，IC次级线圈侧的管脚各自适用NMOS负荷电源开关和VBUS的充放电作用，以融入USB-PD的独特应用规定。

A29展台：钰泰半导体

1、钰泰ETA80G25

ETA80G25是一颗合封D-Mode氮化镓功率管的AC-DC PWM控制板，采用SSOP10封装形式做到较好的排热和绝缘层抗压规定。它能达到全交流电流键入90~264Vac，防护的直流电27W最大功率輸出。它采用低电压电流量持续方式，髙压电流量时断时续准串联谐振方式工作中，载满较大80kHz电源开关頻率，小载电源开关頻率折回操纵，在小输出功率运用计划方案中达到最好的高效率。

与此同时，以几乎同样规格型号超结功率管的实惠价钱，让小输出功率运用也可以充分发挥氮化镓原材料的优点，具有性价比高。它具备恒压恒输出功率降功率的输入输出电流量管理方法作用，特别适合使用于18W，20W，24W，25W PD/QC的快充电源适配器之中，填补氮化镓原材料在中国小输出功率快充运用中的空缺。

C09展台：华源半导体材料

1、华源HYC3602E

华源半导体根据合封氮化镓芯片HYC3602E开发设计的30W迷你型PD快充计划方案，与此同时还运用了高集成化同步整流芯片HYC9012A。该计划方案处理速度高，外场电子器件少，合适小规格开关电源。

合封氮化镓芯片HYC3602E采用ESOP-8封装形式，兼具成本费和排热，内嵌氮化镓，迎合市场的需求；

在90Vac輸出时，载满高效率≥91.5%， 230Vac载满高效率≥ 93%，与此同时该芯片还具备具有LPS、OTP等各种防护作用。

D01展台：亚成微

1、亚成微RM6820NQ

RM6820NQ采用领域优秀的3D封装形式技术性，芯片内部结构集成化ZVS反激式开关电源电路控制板、650V GaN FET、氮化镓控制器及其推动维护等，适用较大120W输出功率輸出。

RM3430T是一款极快关闭同步整流操纵芯片，采用自配电电源电路，可以灵敏的摆放在輸出正端和输出负端，在正端置放时不用附加的协助绕阻，芯片适用 DCM, QR 及其 CCM 方式，并具备10nS 极快关闭延迟，较大输出功率 350KHz；

该计划方案具备小容积、效率高、性能卓越、功耗低等特性，完成了高靠谱、效率高、高集成化的微型化功率大的快充电源电路规定。

2、亚成微RM66040ND

RM66040ND内部结构采用我公司自主研发封装形式技术性，芯片集成化CCM/QR反激式开关电源电路控制板、650V GaN FET、氮化镓控制器及其推动维护等，适用较大36W快充，除此之外，芯片采用DFN5*6封装形式，成本费更加出色。

RM3434SA是一款极快关闭同步整流操纵芯片，采用自配电电源电路，可以灵敏的摆放在輸出正端和输出负端，在正端置放时不用附加的协助绕阻，芯片适用 DCM, QR 及其 CCM 方式，内嵌 80V SGT MOS，并具备10nS 极快关闭延迟，较大输出功率 350KHz。

该计划方案具备小容积、效率高、性能卓越、功耗低等特性，达到快充开关电源微型化设计方案规定，与此同时计划方案整套采用亚成微芯片，兼容模式更强，精减外围电路设计方案，合理协助快充开关电源生产商加快产品研发。

E01展台：必易微

1、必易微KP22066

必易微全新产生了合封氮化镓的快充芯片KP2206XQDGA系列产品解决方法。对比传统的的控制板外驱氮化镓的分离出来计划方案，KP2206XQDGA采用与众不同的DFN8*8合封技术性，占有更小的PCB室内空间，便捷顾客完成更小的容积；KP2206XQDGA根据合封技术性减少了输出功率控制回路的特性阻抗可以得到更快的高效率，且封装形式体底端含有大规模排热PAD，可以给用户带来更快的导热特性。

此外，KP2206XQDGA不但根据合封技术性减少了推动控制回路、减少了高频率运用下寄生参数对作业的危害，其外接的高精密6V推动脉冲信号还能够确保内嵌E-Mode氮化镓大批量生产的稳定性，综合性看来这款商品是面对30W-100W高频率快充运用的满意挑选。

2、必易微KP22064

根据必易微KP22064开发设计的30W氮化镓快充参设计方案，容积十分精巧，可以立即放入基本20W迷你型快充的机壳内。

E08展台：杰华特

1、杰华特JW1566A

杰华特发布了高集成度的氮化镓合封芯片 JW1566A，将控制板、氮化镓推动、氮化镓功率管集变成 DFN5*6 小容积封装形式，为 USB PD 快充与开关电源电路运用给予高能耗等级小容积的解决方法。

图为初中级采用杰华特JW1566A 合封氮化镓芯片的 33W DEMO ，次级线圈采用杰华特JW7726B 同步整流，规格是 29*25*21.5mm，PCBA 功率做到 1.92W/CC，90V/60Hz 载满状况下板端高效率做到 92.28%，髙压键入载满高效率可以做到 93.5%，可以大幅度减少热设计难度系数，做微型化商品十分有优点，JW1566A 具备抖频作用，33W DEMO EMI 容量＞6db以上，而且维护功能完善。

充电头网汇总

氮化镓技术性的商业，让充电头的功率获得提高，而合封氮化镓芯片的规模性批量生产，则让充电头的电路原理越来越更为简约，尤其是运用在65W之内的快充商品中，能充分运用合封氮化镓芯片的优点，兼具了特性和成本费。

根据简洁的归纳能够看见，现阶段合封氮化镓芯片早已变成好几家著名开关电源芯片生产商关键合理布局的商品，坚信一段时间的将来，将会出现大量具有性价比高的氮化镓快充商品进入到销售市场。