据中科院上海微系统与信息科技研究室信息，该所研究者宋志棠、杨旭敏构成协同研究人员，初次选用GNR边沿接触制取出现阶段世界上最小的尺寸相变存储单元器件。
7月18日，有关科研成果以《根据石墨烯材料纳米带界限接触完成相变储存器程序编写功耗降到最低》（Minimizing the programming power of phase change memory by using graphene nanoribbon edge-contact）问题，线上发表于《先进科学》上。
据统计，现如今数据生产展现爆炸式增长，传统冯·诺依曼测算构架已经成为将来再次提高计算系统的性能关键技术性阻碍。
而相变随机存储器储存器（PCRAM）需要结合储存和估算作用，是提升冯·诺依曼测算架构短板理想的路径选择。
PCRAM具备非易失性、程序编写速度更快和循环寿命长等特点，但是其中相变材料和加温电级间的接触总面积比较大，导致相变储存器实际操作功耗比较高，怎样进一步降低功耗变成相变储存器发展方向所面临的较大考验之一。
研究人员选用石墨烯材料界限做为刀头电级来接触相变原材料，可以实现千次以上循环寿命。
当GNR总宽减少至3nm，其截面积为1nm2，RESET电流量减少为0.9 μA，载入耗能低到~53.7 fJ。该功耗比现阶段最前沿制造制取的模块器件低近2个量级，似乎是由纳米碳管缝隙（CNT-gap）维持的原最少功耗世界记录的一半。
中科院称，是目前世界各国初次选用GNR边沿接触完成极限尺寸的性能卓越相变存储单元，器件规格贴近相变存储系统的放缩极限值。该新式相变存储单元成功的研发代表着PCRAM在低功耗下实行逻辑函数的发展，为以后运行内存测算开创了新技术途径。
选用GNR边沿接触制取出现阶段世界上最小的尺寸相变存储单元器件（a）相变存储单元结构示意图；（b）功耗与接触的面积关联。
器件循环寿命的阈值电压正负极依赖感。（a）精确测量设定平面图；（b）~3 nm 宽 GNR 界限电级相变存储单元在各个工作电压正负极中的循环寿命。
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