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10 月 8 日信息，据德媒 computerbase 信息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 过程中阐述了其内存路线图。
以上如图所示，在即将来临 2023 年，三星正在进入 1bnm 加工工艺环节，内存处理芯片容积约为 24Gb（3GB）-32Gb（4GB），原生态速率将于 6.4-7.2Gbps。显存层面，新一代 GDDR7 显存将于来年面世，因而 AMD 和英伟达显卡的新一代独立显卡的改款就很有可能会用到 GDDR7 显存。
除此之外，三星也进行了一些长久的设想，如 2026 年发布 DDR6 内存，2027 年即完成原生态 10Gbps 速度。
三星也公布了该闪存芯片的路线图，预计在 2024 年发布 V9 NAND 处理芯片。
曾报导，三星在此前的 Tech Day 2022 主题活动中提到，其第九代 V-NAND 即将上线，方案于 2024 年批量生产。到 2030 年，三星设想 NAND 层叠超出 1,000 层，以能够更好地适用未来数据密集型技术性。三星还公布，全世界最大容量 1Tb TLC V-NAND 将正式年末向用户提供。
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