芯研所4月18日消息,据BusinessKorea消息,三星要求研发人员停止1b工艺DRAM芯片的开发,也就是跳过12nm,直接跨代到1c,即11nm。三星设定了非常激进的目标,即在今年6月完成并冻结11nm、第六代DRAM芯片的开发工作。
芯研所采编
此前的说法是三星1b(12nm)DRAM芯片遇到困难,搞不定。不过就最新的报道来看,似乎并非如此,当然,最终实情如何,还得拿实物量产说话。
报道指出,三星此举目的在于重新拉开与竞争对手SK海力士、美光的技术差距,其原因在于1a DRAM芯片量产上,三星实际上落后于竞争对手。这并非三星第一次在DRAM芯片上计划“弯道超车”,当年对手都在搞28nm DRAM时,三星聚焦更先进的25nm工艺,结果高风险最终促成高收益。
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 举报,一经查实,本站将立刻删除。